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　　部分存儲產(chǎn)品傳來了漲價的消息?！斑@段時間有的漲了100%，有的一個月內(nèi)漲了50% ，這個月漲幅非常大。”深圳一家頭部存儲模組廠商的銷售負(fù)責(zé)人張麗（化名）告訴第一財經(jīng)記者，一些DRAM產(chǎn)品近期出現(xiàn)漲價，主要是DDR4和DDR3在漲，背后的驅(qū)動因素不是需求增長，而是原廠停產(chǎn)。

　　DRAM即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，是目前兩種最主要的存儲顆粒之一，DDR4和DDR3分別是第四和第三代雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM。市場研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)也顯示，近期DDR4價格漲勢尤其迅猛。

　　頻頻漲價

　　據(jù)閃存市場數(shù)據(jù)，在截至5月27日的一周內(nèi) ，多款DDR4產(chǎn)品環(huán)比價格上漲，其中DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT價格分別環(huán)比上漲3.95% 、15%、10%。TrendForce集邦咨詢本月23日、25日、27日、28日和29日發(fā)布的市場動態(tài)中，也顯示多種DDR4顆?，F(xiàn)貨價格出現(xiàn)上漲，29日DDR4 8Gb 3200漲幅為4%。

　　“深圳市場表現(xiàn)火熱，買家問價動作較多，部分DDR4價格持續(xù)拉升，目標(biāo)價格也有所提高，但仍難以跟上報價。” TrendForce集邦咨詢在29日的市場動態(tài)報告中稱。

　　“上周（采購時）我報你4元，你問3.8元行不行。這周再來問價，我說現(xiàn)在4.5元了，你又問能不能按上周報的4元，我說不好意思，馬上變成4.8元了。就是按這個節(jié)奏漲的。 ”張麗向記者形容。

　　漲價背后，今年2月，有消息稱美光、三星和SK海力士可能在今年年底前停止生產(chǎn)DDR3和DDR4內(nèi)存。4月，有消息稱三星通知了PC制造商，將在今年年底前停產(chǎn)DDR4，最后訂購日期定在6月。

　　三星并未回應(yīng)市場消息并證實DDR4停產(chǎn)，但市場上已出現(xiàn)連鎖反應(yīng)。TrendForce集邦咨詢稱，三星、美光DDR3、DDR4停產(chǎn)傳聞引發(fā)DRAM市場連鎖反應(yīng)，出現(xiàn)備貨潮?！叭?、SK海力士和美光針對PC及服務(wù)器的DDR4和LPDDR4產(chǎn)品陸續(xù)發(fā)布了EOL（終止生產(chǎn)）通知，最后發(fā)貨時間預(yù)計在2026年第一季度至第二季度。”TrendForce集邦咨詢分析師許家源告訴記者，原廠宣布EOL后，買方紛紛搶購補(bǔ)充庫存，使4月至5月的顆?，F(xiàn)貨市場供給緊張，價格大幅上漲。

　　閃存市場稱，在原廠停產(chǎn)部分DDR4 、減產(chǎn)LPDDR4X的持續(xù)影響下，引發(fā)的漲價效應(yīng)蔓延至渠道成品，較低價的DDR5資源在渠道市場也愈發(fā)難覓，使本周渠道DDR5內(nèi)存條也調(diào)漲價格。

　　不只DDR4在漲價，另一大類存儲顆粒中，NAND Flash（一種主要的閃存顆粒）也有部分產(chǎn)品在漲價。張麗告訴記者，漲價最多的是容量32Gb及32Gb以下的MLC NAND Flash，這類產(chǎn)品主要用于智能家居、電視、工業(yè)自動化設(shè)備、智能穿戴產(chǎn)品等，三星占了這類產(chǎn)品較大的市場份額。據(jù)她所知，也是因為原廠發(fā)了停產(chǎn)通知，導(dǎo)致MLC NAND Flash市場供應(yīng)減少，因此近期才會出現(xiàn)漲價。

　　近日有消息稱，三星提前停產(chǎn)MLC NAND Flash ，通知只供應(yīng)至6月，并希望通過漲價使客戶知難而退，市場則對三星停供導(dǎo)致供應(yīng)短缺問題感到擔(dān)憂，大力囤貨。三星在給記者的回應(yīng)中未提及MLC NAND Flash停供一事是否真實，而是表示，不對客戶有關(guān)的事發(fā)表評論。

　　原廠調(diào)整生產(chǎn)

　　漲價是局部現(xiàn)象，雖然業(yè)內(nèi)預(yù)計存儲行情已在逐步改善，但市場還未因整體需求拔高而出現(xiàn)十分迅猛的整體漲價。

　　以NAND Flash為例，TrendForce集邦咨詢29日發(fā)布的報告稱，今年第一季度NAND Flash供應(yīng)商在面對庫存壓力和終端客戶需求下滑的情況下，平均銷售價格下降了15%，出貨量環(huán)比減少7% ，該季度前五大NAND Flash品牌廠營收合計120.2億美元，環(huán)比減少24% 。預(yù)計第二季度NAND Flash價格將出現(xiàn)觸底反彈，品牌廠商營收有望環(huán)比增加10%。

　　從存儲市場整體規(guī)?？?，也有存儲供應(yīng)鏈從業(yè)者向記者表示，預(yù)計今年將比去年有所增長，但幅度預(yù)計只有1%~2%。其背后，積極因素包括業(yè)內(nèi)去庫存后價格得到支撐、AI應(yīng)用帶來大容量存儲需求，但整體終端需求還未強(qiáng)勁反彈。

　　在這種情況下，之所以部分存儲顆粒漲價，是因為這些產(chǎn)品并非最新一代的高性能產(chǎn)品，而原廠面向AI帶來的新需求，正進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換。

　　“現(xiàn)在DDR已經(jīng)做到了DDR5，像三星、海力士這些原廠大廠，它們已經(jīng)打算將產(chǎn)能轉(zhuǎn)到高性能的產(chǎn)品上，例如HBM（高帶寬內(nèi)存，DRAM的一種），這部分（DDR3、DDR4）已經(jīng)不是能帶來高利潤、高毛利的業(yè)務(wù)了。”張麗解釋。

　　許家源也告訴記者，一些DDR4和LPDDR4將終止生產(chǎn)，主要是因為PC及服務(wù)器應(yīng)用已經(jīng)逐步從DDR4轉(zhuǎn)向DDR5，同時DDR4系列產(chǎn)品的價格和利潤都較低。

　　有消息稱，三星停產(chǎn)DDR4后，將把生產(chǎn)資源集中在DDR5和HBM上。美光則在2025財年第二季度財報中提及銷售HBM對毛利率的作用。美光稱，該季度綜合毛利率有所提高，原因就包括高利潤的云產(chǎn)品特別是HBM的銷售增加。

　　MLC也不是NAND Flash最新的技術(shù)。MLC即多層單元，從MLC、TLC（三級單元）到QLC（四級單元），NAND顆粒存儲密度越來越高。記者了解到，今年以來，包括長江存儲、鎧俠、Solidigm在內(nèi)，多家存儲廠商已在極力推廣QLC產(chǎn)品，推進(jìn)產(chǎn)品迭代。

　　面向AI時代調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的信號越來越明顯。目前，高性能存儲產(chǎn)品中，HBM已成為英偉達(dá)等高性能AI芯片的必備，采用QLC技術(shù)的NAND Flash也被認(rèn)為適合運行AI應(yīng)用的設(shè)備。有供應(yīng)鏈廠商向記者解釋，存儲廠商著急推QLC背后，是AI PC、AI手機(jī)這些端側(cè)設(shè)備需要存儲密度增加。

　　“原廠在產(chǎn)能資本支出上正在減少，同時存儲技術(shù)朝更先進(jìn)制程遷移。 ” CFM閃存市場總經(jīng)理邰煒今年早些時候表示，在供應(yīng)端，整體wafer（晶圓）產(chǎn)出相比以往的增量將明顯減少，存儲原廠的資本支出將更多投入更先進(jìn)的封裝技術(shù)或產(chǎn)品研發(fā)上，更側(cè)重HBM、1c 、1γ和200層、300層這些先進(jìn)產(chǎn)能。

　　美光在最新財報中表示，公司專注于在現(xiàn)有制造設(shè)備中增加HBM產(chǎn)能，以滿足2026年的市場需求。今年4月，美光進(jìn)行了業(yè)務(wù)部門重組，新成立了向超大規(guī)模云客戶提供內(nèi)存解決方案、為數(shù)據(jù)客戶中心客戶提供HBM的云內(nèi)存業(yè)務(wù)部。美光稱，此次重組的背景是高性能內(nèi)存和存儲在推動AI發(fā)展方面越來越重要。

　　SK海力士也在加碼布局HBM。去年第四季度HBM在SK海力士DRAM銷售額中的占比超40% ，該公司預(yù)計今年該占比將提升至50%以上。

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